Az elektronikus fokú szilícium -nitrid fóliákat kémiai gőzlerakódás vagy plazmával továbbfejlesztett kémiai gőzlerakódás útján állítják elő:
3 SIH4 (G) + 4 NH3 (G) → SI3N4 (S) + 12 H2 (G)
3 SICL4 (G) + 4 NH3 (G) → SI3N4 (S) + 12 HCl (g)
3 SICL2H2 (G) + 4 NH3 (G) → SI3N4 (S) + 6 hcl (g) + 6 H2 (g)
Ha a szilícium -nitridet félvezető szubsztrátra kell lerakni, akkor két módszer áll rendelkezésre:
1.
Használjon alacsony nyomású kémiai gőzlerakódást viszonylag magas hőmérsékleten egy függőleges vagy vízszintes csövetkemencében.
2.
A plazma fokozott kémiai gőzlerakódás viszonylag alacsony hőmérsékleten vákuumban.
A szilícium -nitrid egységcellás paraméterei különböznek az elemi szilíciumtól. Ezért, a lerakódási módszertől függően, a kapott szilícium -nitridfilmnek feszültsége vagy stressz lesz. Különösen, ha a plazmával fokozott kémiai gőzlerakódást használják, a feszültséget a lerakódási paraméterek beállításával csökkenthetik.
A szilícium-dioxidot először a Sol-Gel módszerrel készítik, majd az ultrafinanszírozott szénrészecskéket tartalmazó szilikagél karbotermikus redukcióval és nitridációval kezelik, hogy szilícium-nitrid-nanoszálakat kapjanak. A szilikagélben lévő ultrafinikus szénrészecskéket úgy állítják elő, hogy a glükózt 1200-1350 fokon bomlik. A szintézis folyamatában részt vevő reakciók lehetnek:
SIO2 (S) + C (S) → SIO (G) + CO (G)
3 sio (g) + 2 n2 (g) + 3 Co (g) → si3n4 (s) + 3 CO2 (G) vagy
3 Sio (g) + 2 n2 (g) + 3 c (s) → si3n4 (s) + 3 co (g)
